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Un proceso dieléctrico de alta k para transistores CMOS promete convertir la hoja de ruta internacional de semiconductores en una autopista al eliminar el problema de fugas de compuerta en nodos avanzados de hasta 10 nanómetros. El sobrecalentamiento debido a una fuga excesiva de compuerta es el principal obstáculo para llegar a nodos de semiconductores avanzados por debajo de los 45 nanómetros.